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第259章 p型、n型、共掺杂(3 / 4)

n型掺杂,或者说磷掺杂金刚石,之所以难。

是因为磷原子比碳原子大,很难嵌入金刚石晶格。

当磷原子进入金刚石晶格内,会引起晶格扭曲,影响金刚石中的构型、键型和电荷分布。

磷掺杂金刚石中存在大量空位,也会与磷原子形成结合力很强的磷—空位缺陷。

这种缺陷的能级位于金刚石导带底约1.7eV的位置上,可以补偿施主,阻碍磷原子的电离。

进而导致难以获得高质量的磷掺杂金刚石薄膜。

虽然磷的能级位于导带底以下0.58eV,但是这种缺陷却还是存在。

“缺陷的填补……”

陈舟手中的动作加快,鼠标的滚轮不断滑动。

屏幕上的内容被陈舟拉到了共掺杂的部分。

【氮原子处于金刚石晶格中的替代位置,会形成激发能量为1.7eV的深施主能级,在室温下不导电……】

【理论上,磷可以作为浅施主杂质,但磷原子的半径大于碳原子半径,很难掺入金刚石晶格中……】

【理论表明,磷—氮共掺的方法,也许是克服宽禁带和超宽禁带半导体自身补偿的一种有效方法……】

【……】

看到这,陈舟手中的速度不自觉的慢了下来。

如果氮原子能够填补缺陷,磷原子的掺杂就有了空间……

本来是准备先解决n型掺杂问题的,结果这一思考,问题就跳跃到了共掺杂?

因为四十三所的n型掺杂实验,采用的是磷掺杂。

所以在共掺杂中,他们研究的便是磷—氮共掺的方法。

这也使得陈舟就这样把两者联系在了一起。

陈舟不由得在心中笑了笑,但也随即便决定将n型掺杂和共掺杂的问题放在一块解决。

在共掺杂实验中,最早被作为磷源的是PH3,被作为氮源的是N2。

但是,采用这两种气体进行实验时,得到的结果却并不理想。

制备出来的掺杂金刚石膜的电阻率很高。

随后的实验中,磷源和氮源的选择被不断变更。

像是NH4H2P04这种包含磷元素和氮元素的单一掺杂源,也被应用到了研究上。

但得到的金刚石膜的电阻率依然很高。

陈舟又看了一眼四十三所的实验数据,随即开始在草稿纸上整理可以作为氮源和磷源的物质。

在陈舟沉浸在研究中时,房间外的天色已经渐渐暗了下来。

“陈舟。”

被沈靖的声音喊醒,陈舟疑惑的抬起头看着沈靖。

沈靖指了指电脑:“数据分析完成了。”

“噢。”陈舟应了一声,起身走到沈靖旁边看了一眼。

分析的结果和他的预料基本上没有多大差别。

“发给我,我做最后的处理。”

沈靖点点头:“好。”

陈舟转身就准备走回座位,这时沈靖拽住了他,指了指电脑屏幕的右下角。

陈舟看了一眼,这才惊觉居然已经六点半了。

想了想,陈舟并不打算在四十三所加班,还是回酒店舒服些。

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